Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA06DP-T1-GE3, 30 В, 40 А, TrenchFET, 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SIRA06DP-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный по технологии TrenchFET® в корпусе PowerPAK® SO8. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 40 А.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
• Максимально допустимый ток стока: 40 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 3.5 мОм
• Корпус: PowerPAK® SO8, поверхностный монтаж
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный постоянный ток стока равен 40 А, при этом импульсный ток может достигать 80 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 3.5 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET® и имеет униполярную структуру с каналом обогащения. Корпус PowerPAK® SO8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Максимальная мощность рассеивания составляет 40 Вт.

Комплектация

В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов. Транзистор имеет заряд затвора 77 нКл.