Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP24N80AE-GE3, 800 В, 13 А, TO220AB (5 шт.)
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM206121
Транзистор N-MOSFET Vishay SIHP24N80AE-GE3, 800 В, 13 А, TO220AB (5 шт.)В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 5 полевых транзисторов N-MOSFET от бренда Vishay, модель SIHP24N80AE-GE3. Предназначены для монтажа в корпусе TO220AB (выводной монтаж).
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
- Максимально допустимый ток стока: 13 А
- Максимальная мощность рассеивания: 208 Вт
- Корпус: TO220AB, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Транзисторы имеют максимально допустимое напряжение сток-исток 800 В и максимально допустимый ток стока 13 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 208 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 184 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено 30 В.
Конструкция и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе TO220AB с выводным типом монтажа. Это полевые транзисторы с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией. Импульсный ток стока может достигать 51 А, а заряд затвора составляет 89 нКл.
Комплектация
В комплекте поставляется 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 208 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 13 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 184 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴