Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG15N60E-GE3, 600 В, 9,6 А, 180 Вт (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SIHG15N60E-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы с напряжением до 600 В и током стока 9,6 А. В комплект входит 5 штук в корпусе TO247AC.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 9,6 А
• Максимальная мощность рассеивания: 180 Вт
• Корпус: TO247AC
• В комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток стока равен 9,6 А, а импульсный ток может достигать 39 А. Максимальная мощность рассеивания — 180 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 280 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет выводной тип монтажа и выполнен в корпусе TO247AC. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 30 В. Заряд затвора составляет 78 нКл.

Комплектация

В наборе 5 транзисторов. Транзисторы являются униполярными.