Транзистор P-MOSFET Vishay SIA483DJ-T1-GE3, 30 шт., TrenchFET, PowerPAK SC70
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM206114
Транзистор P-MOSFET Vishay SIA483DJ-T1-GE3, 30 шт., TrenchFET, PowerPAK SC70В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SIA483DJ-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. В комплекте 30 шт. Прибор имеет максимальное напряжение затвор-исток 20 В и сопротивление в открытом состоянии 21 мОм.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Технология: TrenchFET®
- Корпус: PowerPAK® SC70
- Максимальная мощность рассеивания: 12 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 21 мОм
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (FET) с каналом обогащения и униполярной поляризацией. Максимальная мощность рассеивания составляет 12 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 21 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PowerPAK® SC70. Тип монтажа — поверхностный. Технология изготовления — TrenchFET®.
Комплектация
В наборе 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 12 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 21 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SC70 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴