Транзистор P-MOSFET Vishay SI7617DN-T1-GE3, 33 Вт, 25 В, -13,9 А (набор 20 шт.)
2 420 ₴
- В наличии
- Код: TM206094
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7617DN-T1-GE3, 33 Вт, 25 В, -13,9 А (набор 20 шт.)В наличии
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7617DN-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения и технологией TrenchFET®. Прибор имеет максимальную мощность рассеивания 33 Вт и напряжение затвор-исток 25 В. Корпус PowerPAK® 1212-8, монтаж поверхностный.
- Тип транзистора: P-MOSFET, полевой, канал обогащения
- Максимальная мощность рассеивания: 33 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 В
- Ток стока: -13,9 А (постоянный), -60 А (импульсный)
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 12,3 мОм
- Корпус: PowerPAK® 1212-8, поверхностный монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением затвор-исток 25 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 12,3 мОм. Общий заряд затвора равен 59 нКл.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии TrenchFET® в корпусе PowerPAK® 1212-8. Монтаж: поверхностный (SMD). Максимальная мощность рассеивания составляет 33 Вт.
Идентификация и маркировка
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 33 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 12.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® 1212-8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 420 ₴