Полевой транзистор P-MOSFET Vishay SI7461DP-T1-GE3, выполненный по технологии TrenchFET®, в корпусе PowerPAK® SO8 для поверхностного монтажа. Напряжение сток-исток составляет -60 В, ток стока составляет -8,6 А, мощность рассеивания — 1,2 Вт. В комплекте 10 шт.
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -8,6 А
- Мощность рассеивания: 1,2 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 14,5 мОм
- Корпус: PowerPAK® SO8
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 14,5 мОм. Импульсный ток стока составляет -60 А. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Заряд затвора — 0,19 мкКл.
Тип транзистора
Транзистор униполярный, канал P-типа, режим работы канала — обогащение.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 14.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 870 ₴

