Транзистор P-MOSFET Vishay SI7149ADP-T1-GE3, TrenchFET, 31 Вт, набор 20 шт.
3 320 ₴
- В наличии
- Код: TM206091
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7149ADP-T1-GE3, TrenchFET, 31 Вт, набор 20 шт.В наличии
3 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI7149ADP-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Технология: TrenchFET®
- Корпус: PowerPAK® SO8
- Максимальная мощность: 31 Вт
- Напряжение затвор-исток: 25 В
- Сопротивление Rds: 9,5 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 31 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 25 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 9,5 мОм.
Корпус и монтаж
Транзистор имеет поверхностный тип монтажа. Корпус: PowerPAK® SO8. Заряд затвора составляет 43,1 нКл. Канал обогащения и униполярная поляризация определяют режим работы транзистора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 31 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerPAK® SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 320 ₴