Транзистор P-MOSFET Vishay SI4497DY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 10 шт.
2 600 ₴
- В наличии
- Код: TM206088
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4497DY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 10 шт.В наличии
2 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4497DY-T1-GE3 с технологией TrenchFET® в корпусе SO8. В комплекте 10 штук.
- Тип транзистора: Полевой
- Максимальная мощность рассеивания: 5 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 3.3 mOm
- Тип монтажа: Поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 5 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 3.3 mOm. Заряд затвора составляет 90 нКл.
Конструкция и монтаж
Тип монтажа — поверхностный. Корпус — SO8. Тип транзистора — полевой. Канал обогащения, полярность униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 600 ₴