Транзистор P-MOSFET Vishay SI4447ADY-T1-GE3, -40 В, -7,2 А, 4,2 Вт, SO8 (набор 30 шт.)
2 470 ₴
- В наличии
- Код: TM206087
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4447ADY-T1-GE3, -40 В, -7,2 А, 4,2 Вт, SO8 (набор 30 шт.)В наличии
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET Vishay SI4447ADY-T1-GE3, выполненный по технологии TrenchFET®, в корпусе SO8 для поверхностного монтажа. Напряжение сток-исток составляет -40 В, ток стока составляет -7,2 А, мощность рассеивания — 4,2 Вт. В комплекте 30 шт.
- Напряжение сток-исток: -40 В
- Ток стока: -7,2 А
- Мощность рассеивания: 4,2 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 62 мОм
- Корпус: SO8
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 62 мОм. Импульсный ток стока составляет -20 А. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Заряд затвора — 38 нКл.
Тип транзистора
Транзистор униполярный, канал P-типа, режим работы канала — обогащение.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 4.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 62 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 470 ₴