Транзистор P-MOSFET ONSEMI SI4435DY, PowerTrench®, -30 В, -8,8 А, 2,5 Вт, SO8 (набор 20 шт.)
2 490 ₴
- В наличии
- Код: TM206086
Транзистор P-MOSFET ONSEMI SI4435DY, PowerTrench®, -30 В, -8,8 А, 2,5 Вт, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET ONSEMI SI4435DY, технология PowerTrench®, корпус SO8, монтаж — поверхностный. Напряжение сток–исток — -30 В, ток стока — -8,8 А, максимальная мощность рассеивания — 2,5 Вт. В наборе 20 шт.
- Тип: P-MOSFET, PowerTrench®
- Напряжение сток–исток: -30 В
- Ток стока: -8,8 А
- Мощность рассеивания: 2,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 35 мОм
- Корпус: SO8
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор–исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии — 35 мОм. Заряд затвора — 24 нКл.
Тип канала
Тип канала — индуцированный (режим обогащения), транзистор униполярный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 35 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 490 ₴