Транзистор P-MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, 20 шт.
2 610 ₴
- В наличии
- Код: TM206085
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3, 20 шт.В наличии
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4431CDY-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения (enhancement) и технологией TrenchFET®. В комплекте 20 шт. Предназначен для поверхностного монтажа в корпусе SO8.
- Тип транзистора: P-MOSFET, полевой
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Заряд затвора: 38 нКл
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 32 мОм
- Мощность рассеивания: 2,7 Вт
- Корпус: SO8, монтаж: поверхностный
- Комплектация: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 32 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 2,7 Вт.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET®. Корпус SO8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Полярность транзистора — униполярная. Тип канала — обогащенный (enhancement). Заряд затвора составляет 38 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.7 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 32 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 610 ₴