Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401FDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.
2 480 ₴
- В наличии
- Код: TM206084
Транзистор P-MOSFET Vishay SI4401FDY-T1-GE3, TrenchFET, SO8, 20 шт.В наличии
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный полевой транзистор Vishay SI4401FDY-T1-GE3 в корпусе SO8. Это компонент технологии TrenchFET® с максимальным током стока -11 А и сопротивлением открытого канала 18,3 мОм.
- Тип монтажа: поверхностный (SO8)
- Максимальная мощность рассеивания: 3,2 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 18,3 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Технология: TrenchFET®
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение затвор-исток 20 В и максимальную мощность рассеивания 3,2 Вт. Согласно данным магазина, импульсный ток стока составляет -80 А, а заряд затвора — 31 нКл. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode), что определяет его рабочие характеристики.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в поверхностном корпусе SO8. Используется технология TrenchFET®, которая является ключевой особенностью этой модели.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 18.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 480 ₴