Транзистор N-MOSFET Vishay SI4178DY-T1-GE3, 30 В, 6,7 А, SO8 (набор 30 шт.)
2 610 ₴
- В наличии
- Код: TM206083
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4178DY-T1-GE3, 30 В, 6,7 А, SO8 (набор 30 шт.)В наличии
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI4178DY-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный в корпусе SO8. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 6,7 А.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 6,7 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 33 мОм
- Корпус: SO8, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — 25 В. Максимальный ток стока равен 6,7 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 33 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET® и имеет поверхностный тип монтажа. Корпус SO8, тип монтажа — поверхностный. Максимальная мощность рассеивания — 5 Вт.
Дополнительные характеристики и комплектация
Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Заряд затвора составляет 12 нКл. В комплекте поставляется 30 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 33 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 610 ₴