Транзистор N/P-MOSFET Vishay SI3585CDV-T1-GE3, TrenchFET, 20 В, набор 30 шт.

Транзистор N/P-MOSFET Vishay SI3585CDV-T1-GE3 — это комплементарная пара полевых транзисторов в корпусе SC74 (TSOP6) с технологией TrenchFET®. Напряжение сток-исток составляет 20 В для N-канала и -20 В для P-канала, а рассеиваемая мощность — 0,9 Вт или 8 Вт в зависимости от режима работы.

• Тип: комплементарная пара N/P-MOSFET
• Технология: TrenchFET®
• Корпус: SC74 (TSOP6), поверхностный монтаж
• Напряжение сток-исток: 20 В / -20 В
• Ток стока: 3,1 А / -1,7 А
• Сопротивление в состоянии проводимости: 78 мОм / 316 мОм
• Рассеиваемая мощность: 0,9 Вт / 8 Вт
• Количество в наборе: 30 шт.

Электрические параметры

Компонент является униполярным с обогащаемым каналом. Максимальный ток стока равен 3,1 А для N-канала и -1,7 А для P-канала. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 78 мОм для N-канала и 316 мОм для P-канала. Заряд затвора (Qg) — 4,8 нКл для N-канала и 9 нКл для P-канала.

Конструкция и монтаж

Транзисторы изготовлены по технологии TrenchFET®. Корпус SC74 (TSOP6) предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) составляет 12 В.

Комплектация

В комплекте поставляется 30 транзисторов.