Транзистор P-MOSFET Vishay SI3483CDV-T1-GE3, TrenchFET, -30 В, -7 А, набор 20 шт.
2 650 ₴
- В наличии
- Код: TM206081
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3483CDV-T1-GE3, TrenchFET, -30 В, -7 А, набор 20 шт.В наличии
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3483CDV-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. В комплекте 20 шт. Устройство имеет максимальное напряжение затвор-исток 20 В.
- Тип транзистора: P-MOSFET, TrenchFET®
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Максимальный ток стока: -7 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 53 мОм
- Корпус: SC74, TSOP6 (поверхностный монтаж)
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Максимальная мощность рассеивания составляет 4,2 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 53 мОм.
Комплектация и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC74 (TSOP6) для поверхностного монтажа. Это полевой транзистор с каналом обогащения и униполярной поляризацией. Заряд затвора составляет 33 нКл. В комплекте поставляется 20 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 4.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 53 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 650 ₴