Транзистор P-MOSFET Vishay SI3457CDV-T1-GE3, 30 шт.
2 350 ₴
- В наличии
- Код: TM206080
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3457CDV-T1-GE3, 30 шт.В наличии
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI3457CDV-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. В комплекте 30 шт. Транзистор является униполярным. Импульсный ток стока составляет -20 А. Заряд затвора — 15 нКл.
- Тип транзистора: Полевой
- Максимальная мощность рассеивания: 3 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 113 мОм
- Корпус: SC74, TSOP6
- В комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 3 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 113 мОм.
Конструкция и монтаж
Корпус SC74, TSOP6. Тип монтажа — поверхностный.
Дополнительные характеристики и комплектация
В комплекте 30 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 113 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 350 ₴