Транзистор P-MOSFET Vishay SI3407DV-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения и поверхностным монтажом. В комплекте 30 единиц в корпусе SC74 (TSOP6). Маркировка производителя: SI3407DV-T1-GE3.
- Тип транзистора: полевой
- Максимальная мощность рассеивания: 4,2 Вт
- Напряжение затвор-исток: 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 32,7 мОм
- Корпус: SC74, TSOP6
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры и ток
Максимальная мощность рассеивания составляет 4,2 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 32,7 мОм. Импульсный ток стока составляет -25 А.
Конструкция, монтаж и заряд затвора
Транзистор имеет поверхностный тип монтажа и корпус SC74, TSOP6. Это полевой транзистор с каналом обогащения и униполярной поляризацией. Заряд затвора равен 63 нКл.
Комплектация и идентификация
В наборе 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 4.2 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 32.7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SC74, TSOP6 |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴

