Транзистор P-MOSFET Vishay SI2393DS-T1-GE3, -30 В, -7,5 А, 2,5 Вт, SOT23 (набор 40 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM206078
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2393DS-T1-GE3, -30 В, -7,5 А, 2,5 Вт, SOT23 (набор 40 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET Vishay SI2393DS-T1-GE3, выполненный по технологии TrenchFET®, в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Напряжение сток-исток составляет -30 В, ток стока составляет -7,5 А, мощность рассеивания — 2,5 Вт. В комплекте 40 шт.
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -7,5 А
- Мощность рассеивания: 2,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 33 мОм
- Корпус: SOT23
- Количество в комплекте: 40 шт.
Электрические параметры
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 33 мОм. Импульсный ток стока составляет -50 А. Заряд затвора — 25,2 нКл.
Тип транзистора
Транзистор униполярный, канал P-типа, режим работы канала — обогащение.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 33 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴