Транзистор P-MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-E3, SOT23, 2.5 Вт, 8 В (набор 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Vishay SI2333CDS-T1-E3 — это полевой транзистор с каналом обогащения и технологией TrenchFET®. Устройство выполнено в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа и имеет максимальную мощность рассеивания 2.5 Вт.

• Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
• Корпус: SOT23
• Максимальная мощность рассеивания: 2.5 Вт
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 35 mOm
• Технология: TrenchFET®
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 8 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 35 mOm. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 2.5 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET®. Корпус SOT23 предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Дополнительные характеристики и комплектация

В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов. Канал транзистора является обогащаемым, а полярность — униполярной. Импульсный ток стока составляет -20 А, а заряд затвора — 25 нКл.