Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DDS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.
2 240 ₴
- В наличии
- Код: TM206072
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DDS-T1-GE3, SOT23, 30 шт.В наличии
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SI2319DDS-T1-GE3 в корпусе SOT23. Это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа. В комплекте 30 единиц.
- Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
- Корпус: SOT23
- Максимальная мощность: 1,7 Вт
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление Rds: 100 мОм
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 1,7 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 100 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии TrenchFET®. Корпус: SOT23. Тип монтажа — поверхностный (SMD).
Комплектация
В наборе 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.7 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 240 ₴