Транзистор N-MOSFET x2 VISHAY SI1902CDL-T1-GE3, 20 В, 0,9 А, 0,27 Вт, SOT363 (набор 40 шт.)
1 990 ₴
- В наличии
- Код: TM206070
Транзистор N-MOSFET x2 VISHAY SI1902CDL-T1-GE3, 20 В, 0,9 А, 0,27 Вт, SOT363 (набор 40 шт.)В наличии
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор VISHAY SI1902CDL-T1-GE3 — два N-MOSFET в корпусе SC70-6 (SOT363), монтаж — поверхностный (SMD). Максимально допустимое напряжение сток–исток — 20 В, ток стока — 0,9 А, мощность рассеивания — 0,27 Вт. В наборе 40 шт.
- Тип: N-MOSFET x2
- Напряжение сток–исток: 20 В
- Ток стока: 0,9 А
- Мощность рассеивания: 0,27 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 235 мОм
- Корпус: SC70-6 (SOT363), SMD
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор–исток — ±12 В. Сопротивление в открытом состоянии — 235 мОм. Заряд затвора — 2 нКл.
Тип канала
Тип канала — индуцированный (режим обогащения), транзистор униполярный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.27 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 235 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SC70-6, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴