Транзистор N/P-MOSFET VISHAY SI1553CDL-T1-GE3, TrenchFET®, 20/-20 В, 0,34 Вт, SOT363 (набор 40 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM206069
Транзистор N/P-MOSFET VISHAY SI1553CDL-T1-GE3, TrenchFET®, 20/-20 В, 0,34 Вт, SOT363 (набор 40 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор N/P-MOSFET VISHAY SI1553CDL-T1-GE3, технология TrenchFET®, корпус SC70-6 (SOT363), монтаж — поверхностный (SMD). Максимальная мощность рассеивания — 0,34 Вт. В наборе 40 шт.
- Тип: N/P-MOSFET, TrenchFET®
- Напряжение сток–исток: 20/-20 В
- Ток стока: 0,7/-0,5 А
- Мощность рассеивания: 0,34 Вт
- Корпус: SC70-6 (SOT363), SMD
- Количество в наборе: 40 шт.
Электрические параметры
Напряжение сток–исток — 20/-20 В, ток стока — 0,7/-0,5 А. Максимально допустимое напряжение затвор–исток — ±12 В. Сопротивление в открытом состоянии — 1,35/1,13 Ом. Заряд затвора — 3/1,8 нКл.
Тип канала
Тип канала — индуцированный (режим обогащения), транзистор униполярный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.34 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SC70-6, SOT363 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴