Транзистор N-MOSFET Vishay SI1062X-T1-GE3, 20 В, 0,53 А, набор 60 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay SI1062X-T1-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный по технологии TrenchFET®. Прибор предназначен для поверхностного монтажа в корпусе SC89 (SOT563) и поставляется комплектом из 60 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой, канал обогащения
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 В
• Максимально допустимый ток стока: 0,53 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 762 мОм
• Корпус: SC89 (SOT563), поверхностный монтаж
• Количество в комплекте: 60 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 20 В и максимально допустимый ток стока 0,53 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 762 мОм, что определяет его проводимость при полном открытии. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0,22 Вт, а напряжение затвор-исток не должно превышать 8 В.

Технология и корпус

Компонент изготовлен по технологии TrenchFET®. Корпус SC89 (SOT563) реализует поверхностный тип монтажа. Полярность транзистора — униполярная, канал — обогащенный (N-тип).

Дополнительные параметры

Максимальный ток стока в импульсе составляет 2 А. Заряд затвора равен 2,7 нКл. В комплекте поставляется 60 транзисторов.