Транзистор N/P-MOSFET ROHM SH8M41TB1, 80 В, 3.4 А, SOP8 (набор 20 шт.)

Транзистор N/P-MOSFET от ROHM SEMICONDUCTOR, модель SH8M41TB1. Это полевые транзисторы N- и P-канала в корпусе SOP8 для поверхностного монтажа.

• Тип транзистора: Полевой (MOSFET)
• Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Тип монтажа: Поверхностный
• Корпус: SOP8
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзисторы имеют максимальное напряжение затвор-исток 20 В и напряжение сток-исток 80 В (для N-канала) и -80 В (для P-канала). Максимальный ток стока составляет 3,4 А для N-канала и -2,6 А для P-канала. Максимальная мощность рассеивания равна 2 Вт.

Конструкция и монтаж

Компоненты выполнены в корпусе SOP8 с типом монтажа «Поверхностный». Каналы транзисторов являются обогащаемыми (enhancement mode), а полярность — униполярной.

Комплектация

В комплекте поставляется 20 транзисторов.