Транзистор N-MOSFET SiC STMicroelectronics SCTW35N65G2V, 650 В, 45 А, 240 Вт (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET от STMicroelectronics, модель SCTW35N65G2V, изготовлен по технологии SiC. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 45 А. В комплекте поставляется 3 штуки.

• Тип транзистора: N-MOSFET, технология SiC
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 45 А
• Максимальная мощность рассеивания: 240 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 68 мОм
• Корпус: HIP247™, монтаж вставной
• Количество в комплекте: 3 шт.

Электрические параметры

Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа N и технологией карбида кремния (SiC). Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В, а напряжение затвор-исток — 22 В. Максимальный ток стока равен 45 А, а максимальная мощность рассеивания — 240 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) указано как 68 мОм.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе HIP247™. Тип монтажа — вставной. Транзистор является униполярным.

Комплектация

В наборе находится 3 транзистора. Символ производителя: SCTW35N65G2V. Импульсный ток стока (Idm) составляет 90 А. Заряд затвора равен 73 нКл. Канал транзистора — обогащаемый.