Транзистор N-MOSFET SiC STMicroelectronics SCT50N120, 1200 В, 50 А, 318 Вт
2 400 ₴
- В наличии
- Код: TM205991
Транзистор N-MOSFET SiC STMicroelectronics SCT50N120, 1200 В, 50 А, 318 ВтВ наличии
2 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics SCT50N120 изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 1200 В, ток стока 50 А и мощность рассеивания 318 Вт.
- Технология SiC (карбид кремния)
- Максимальное напряжение сток-исток: 1200 В
- Максимальный ток стока: 50 А
- Мощность рассеивания: 318 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 70 мОм
- Корпус: HIP247™
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 25 В, а напряжение сток-исток — 1200 В. Максимальный постоянный ток стока равен 50 А, импульсный ток — 130 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 70 мОм, заряд затвора — 122 нКл.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе HIP247™ с выводным типом монтажа. Канал типа «обогащенный», полярность — униполярная. Максимальная мощность рассеивания — 318 Вт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 318 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимый ток стока | 50 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | HIP247™ |
| Технология | SiC, SiCFET |
Информация для заказа
- Цена: 2 400 ₴