Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0160120J SiC 1,2 кВ 11 А (набор 5 шт.)
2 870 ₴
- В наличии
- Код: TM205881
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0160120J SiC 1,2 кВ 11 А (набор 5 шт.)В наличии
2 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0160120J. Это полевой транзистор на основе технологии SiC (карбид кремния) в корпусе D2PAK-7 для поверхностного монтажа.
- Технология SiC (карбид кремния)
- Максимальное напряжение: 1,2 кВ
- Ток стока: 11 А (импульсный 40 А)
- Мощность рассеивания: 122 Вт
- Корпус D2PAK-7 для поверхностного монтажа
- В комплекте 5 транзисторов
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток составляет 1,2 кВ. Максимально допустимый ток стока — 11 А, а импульсный ток стока достигает 40 А. Максимальная мощность рассеивания равна 122 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 300 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Корпус D2PAK-7 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная. Конструкция предусматривает вывод Кельвина.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 122 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK-7 |
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 870 ₴