Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120K, SiC, 156 Вт, 15 А (набор 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0120120K. Это полевой транзистор на основе технологии SiC с максимальной мощностью рассеивания 156 Вт и током стока 15 А. В комплекте поставляется 5 штук.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Максимальная мощность: 156 Вт
• Ток стока: 15 А
• Корпус: TO247-4
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 156 Вт. Максимально допустимый ток стока составляет 15 А, а напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 212 мОм.

Конструкция и монтаж

Изделие изготовлено по технологии SiC (карбид кремния). Корпус выполнен в формате TO247-4. Тип монтажа — выводной.

Дополнительные характеристики и комплектация

В наборе содержится 5 транзисторов. Импульсный ток стока (Idm) составляет 66 А, а заряд затвора — 29,6 нКл. Корпус оснащен выводом Кельвина, канал типа обогащения, полярность — униполярная.