Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120J, SiC, 1,2 кВ, 15 А, D2PAK-7 (набор 5 шт.)

2 510 ₴

  • В наличии
  • Код: TM205879
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120J, SiC, 1,2 кВ, 15 А, D2PAK-7 (набор 5 шт.)
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120J, SiC, 1,2 кВ, 15 А, D2PAK-7 (набор 5 шт.)В наличии
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120J — униполярный полевой транзистор с каналом N, изготовленный по технологии SiC (карбид кремния). Напряжение сток-исток — 1,2 кВ, ток стока — 15 А. В наборе 5 шт.

  • Напряжение сток-исток: 1,2 кВ
  • Ток стока: 15 А
  • Импульсный ток стока: 66 А
  • Рассеиваемая мощность: 153 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии: 212 мОм
  • Корпус: D2PAK-7

Электрические параметры

Импульсный ток стока составляет 66 А, рассеиваемая мощность — 153 Вт. Сопротивление в открытом состоянии — 212 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Заряд затвора — 29,6 нКл. Канал — индуцированный (режим обогащения).

Корпус и монтаж

Корпус — D2PAK-7, монтаж — поверхностный (SMD). Транзистор имеет вывод Кельвина.

Характеристики
Основные
Максимальная мощность рассеивания153 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимый ток стока15 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)212 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Гарантийный срок12 мес
Количество в комплекте5 шт.
КорпусD2PAK-7
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
ТехнологияSiC
Информация для заказа
  • Цена: 2 510 ₴