
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120J, SiC, 1,2 кВ, 15 А, D2PAK-7 (набор 5 шт.)
2 510 ₴
- В наличии
- Код: TM205879
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120J — униполярный полевой транзистор с каналом N, изготовленный по технологии SiC (карбид кремния). Напряжение сток-исток — 1,2 кВ, ток стока — 15 А. В наборе 5 шт.
- Напряжение сток-исток: 1,2 кВ
- Ток стока: 15 А
- Импульсный ток стока: 66 А
- Рассеиваемая мощность: 153 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 212 мОм
- Корпус: D2PAK-7
Электрические параметры
Импульсный ток стока составляет 66 А, рассеиваемая мощность — 153 Вт. Сопротивление в открытом состоянии — 212 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Заряд затвора — 29,6 нКл. Канал — индуцированный (режим обогащения).
Корпус и монтаж
Корпус — D2PAK-7, монтаж — поверхностный (SMD). Транзистор имеет вывод Кельвина.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 153 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 15 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 212 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK-7 |
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 510 ₴
