Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0080120D, SiC, 1,2 кВ, 29 А (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0080120D. Это полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) с максимальным током стока 29 А и напряжением 1,2 кВ. В комплекте поставляется 2 штуки.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Технология изготовления: SiC (карбид кремния)
• Максимальный ток стока: 29 А
• Максимальная мощность рассеивания: 231 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 137 мОм
• Корпус: TO247-3
• Количество в комплекте: 2 шт.

Электрические параметры и ток

Прибор является полевым транзистором с каналом обогащения и униполярной полярностью. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Максимальный ток стока равен 29 А, а ток в импульсе — 82 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 137 мОм.

Мощность и заряд затвора

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 231 Вт. Заряд затвора равен 54 нКл. Производитель использует технологию SiC (карбид кремния).

Корпус и монтаж

Корпус выполнен в формате TO247-3. Монтаж осуществляется вставным способом. В наборе находится 2 транзистора.