Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0040120K-1, SiC, 1200 В, 55 А (2 шт.)

3 620 ₴

  • В наличии
  • Код: TM205877
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0040120K-1, SiC, 1200 В, 55 А (2 шт.)
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0040120K-1, SiC, 1200 В, 55 А (2 шт.)В наличии
3 620 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0040120K-1. Это полевой транзистор на основе карбида кремния (SiC) с максимальным током стока 55 А и напряжением 1200 В. В комплекте поставляется 2 штуки.

  • Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
  • Технология: SiC (карбид кремния)
  • Максимально допустимый ток стока: 55 А
  • Максимальная мощность рассеивания: 320,5 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 40 мОм
  • Корпус: TO247-4
  • Количество в комплекте: 2 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимальным напряжением затвор-исток 20 В и выдерживает импульсный ток до 160 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 320,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 40 мОм.

Конструкция и монтаж

Изделие изготовлено по технологии SiC в корпусе TO247-4. Тип монтажа — выводной. Транзистор является униполярным с каналом обогащения и имеет вывод Кельвина. Заряд затвора составляет 118 нКл.

Характеристики
Основные
Максимальная мощность рассеивания320.5 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимый ток стока55 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)40 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Гарантийный срок12 мес
Количество в комплекте2 шт.
КорпусTO247-4
ПроизводительSMC DIODE SOLUTIONS
ТехнологияSiC
Информация для заказа
  • Цена: 3 620 ₴