Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170D, SiC, 1,7 кВ, 3,7 А, TO247-3 (набор 10 шт.)
2 880 ₴
- В наличии
- Код: TM205866
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170D, SiC, 1,7 кВ, 3,7 А, TO247-3 (набор 10 шт.)В наличии
2 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170D — униполярный полевой транзистор с каналом N, изготовленный по технологии SiC (карбид кремния). Напряжение сток-исток — 1,7 кВ, ток стока — 3,7 А. В наборе 10 шт.
- Напряжение сток-исток: 1,7 кВ
- Ток стока: 3,7 А
- Импульсный ток стока: 15 А
- Рассеиваемая мощность: 81 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1,9 Ом
- Корпус: TO247-3
Электрические параметры
Импульсный ток стока составляет 15 А, рассеиваемая мощность — 81 Вт. Сопротивление в открытом состоянии — 1,9 Ом. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Заряд затвора — 10 нКл. Канал — индуцированный (режим обогащения).
Корпус и монтаж
Корпус — TO247-3, монтаж — выводной (THT).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 81 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1900 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технология | SiC |
Информация для заказа
- Цена: 2 880 ₴