Транзистор N-MOSFET ROHM RJP020N06T100, 60В, 2А, MPT3 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM RJP020N06T100 — это полевой транзистор с каналом обогащения и поверхностным монтажом. Модель рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 2 А при мощности рассеивания 2 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 2 А
• Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
• Корпус: MPT3 (поверхностный монтаж)
• Сопротивление в открытом состоянии: 300 мОм
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 2 А. Напряжение затвор-исток ограничено значением 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 300 мОм, что определяет потери при пропускании тока.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе MPT3 с поверхностным типом монтажа (SMD). Это полевой транзистор с каналом обогащения (enhancement mode). Максимальная мощность рассеивания равна 2 Вт.

Дополнительные характеристики из данных магазина

Согласно данным магазина, импульсный ток стока (Idm) составляет 8 А, а заряд затвора — 5 нКл. Транзистор является униполярным. В наборе поставляется 20 шт. транзисторов.