Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD3055LESM9A, 60 В, 11 А, 38 Вт, DPAK (набор 40 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM205642
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD3055LESM9A, 60 В, 11 А, 38 Вт, DPAK (набор 40 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD3055LESM9A — униполярный транзистор в корпусе DPAK с поверхностным монтажом (SMD). В наборе 40 шт.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 11 А
- Рассеиваемая мощность: 38 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,107 Ом
- Корпус: DPAK (SMD)
Электрические параметры
Напряжение сток-исток — 60 В. Ток стока — 11 А. Рассеиваемая мощность — 38 Вт. Напряжение затвор-исток — ±16 В. Сопротивление в открытом состоянии — 0,107 Ом. Заряд затвора — 11,3 нКл. Тип канала — обогащённый.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 38 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 107 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴