Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD12N06RLESM9A, 60 В, 8 А, DPAK (набор 20 шт.)
2 940 ₴
- В наличии
- Код: TM205641
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD12N06RLESM9A, 60 В, 8 А, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
2 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда ONSEMI, модель RFD12N06RLESM9A. Это полевой транзистор в корпусе DPAK с максимальным током стока 8 А и напряжением сток-исток 60 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
- Максимально допустимый ток стока: 8 А
- Максимальная мощность рассеивания: 49 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 75 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 60 В и напряжением затвор-исток 16 В. Максимальный ток стока составляет 8 А, а мощность рассеивания — 49 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 75 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии UltraFET® в корпусе типа DPAK. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Транзистор является униполярным с каналом типа «обогащенный».
Комплектация
В наборе поставляется 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 49 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | UltraFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 940 ₴