Транзистор N-MOSFET NEXPERIA PSMN4R4-80BS, 80В/100А, набор 10 шт (PSMN4R4-80BS,118)

Транзистор N-MOSFET NEXPERIA PSMN4R4-80BS,118 — это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 80 В и токе стока до 100 А. В комплект входит 10 штук в корпусе D2PAK (SOT404).

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 В
• Максимально допустимый ток стока: 100 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 9.12 мОм
• Корпус: D2PAK (SOT404), поверхностный монтаж
• Количество в наборе: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 80 В, а максимально допустимый ток стока — 100 А. Импульсный ток стока (Idm) составляет 680 А. Максимальная мощность рассеивания равна 306 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 9.12 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе D2PAK, также известном как SOT404. Тип монтажа — поверхностный. Поляризация транзистора — униполярная, канал — обогащенный (enhancement mode).

Комплектация

В наборе находится 10 транзисторов. Количество в комплекте указано как 10 шт.