Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN3R9-60PSQ, 60 В, 130 А, набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN3R9-60PSQ — это полевой транзистор с индуцированным каналом, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 130 А. В комплекте поставляется 10 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 130 А
• Максимальная мощность рассеивания: 263 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 2.94 мОм
• Корпус: SOT78 (TO220AB)
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 263 Вт и сопротивление в открытом состоянии (Rds) 2.94 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В, а заряд затвора — 103 нКл. Импульсный ток стока (Idm) может достигать 705 А.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT78 (TO220AB) с выводным типом монтажа. Это униполярный транзистор с индуцированным каналом (enhancement mode).

Комплектация

В наборе 10 транзисторов.