
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN1R1-30PL, 30В, 120А, 338Вт (PSMN1R1-30PL,127) — набор 5 шт.
2 060 ₴
- В наличии
- Код: TM205476
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
N-MOSFET транзистор Nexperia PSMN1R1-30PL — полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 120 А при мощности рассеивания 338 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 120 А
- Максимальная мощность рассеивания: 338 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 1.8 мОм
- Корпус: SOT78, TO220AB
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 30 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 120 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1.8 мОм. Заряд затвора составляет 243 нКл.
Конструкция и монтаж
Прибор выполнен в корпусе SOT78 (TO220AB) с выводным типом монтажа. Это полевой транзистор с униполярной структурой и обогащаемым каналом. Импульсный ток стока (Idm) может достигать 1609 А.
Комплектация
В наборе поставляется 5 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 338 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.8 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | SOT78, TO220AB |
| Производитель | NEXPERIA |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴
