Транзистор P-MOSFET PanJit PJS6421-S1, SOT23-6, 2 Вт, -20 В (набор 60 шт.) (PJS6421_S1_00001)

Транзистор P-MOSFET PanJit PJS6421-S1 в корпусе SOT23-6. Это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа. В комплекте 60 единиц.

• Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
• Корпус: SOT23-6
• Максимальная мощность: 2 Вт
• Напряжение затвор-исток: 10 В
• Сопротивление в открытом состоянии: 40 мОм
• Количество в комплекте: 60 шт.

Электрические параметры

Максимальная мощность рассеивания составляет 2 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 10 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 40 мОм. Согласно данным магазина, максимальный ток в импульсе — -29,6 А, а заряд затвора — 16,5 нКл.

Комплектация и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе SOT23-6. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный. В комплекте поставляется 60 единиц.