Транзистор N-MOSFET PanJit PJMF210N65EC_T0_00601, 650 В, 19 А, ITO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET PanJit PJMF210N65EC_T0_00601 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе ITO220AB. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 19 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 19 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 210 мОм
• Корпус: ITO220AB
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и максимально допустимый ток стока 19 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 210 мОм, что определяет потери при протекании тока. Максимальная мощность рассеивания равна 32 Вт, а напряжение затвор-исток ограничено 30 В.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе ITO220AB с выводным типом монтажа. Это униполярный полевой транзистор с обогащаемым каналом. Импульсный ток стока может достигать 42 А, что превышает номинальный ток стока. Заряд затвора составляет 34 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора.

Импульсные характеристики и заряд затвора

В набор поставляется 10 транзисторов.