Транзистор NEXPERIA PDTB113ET,215 PNP SOT23 (набор 150 шт.)

Транзистор NEXPERIA PDTB113ET,215 — это биполярный транзистор структуры PNP в корпусе SOT23 (TO236AB). Товар поставляется набором из 150 штук. Основные параметры: максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 50 В, ток коллектора 0,5 А, мощность рассеивания 0,25 Вт.

• Тип транзистора: биполярный PNP
• Корпус: SOT23 (TO236AB)
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,5 А
• Максимальная мощность рассеивания: 0,25 Вт
• Количество в наборе: 150 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 50 В и максимально допустимый ток коллектора 0,5 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 0,25 Вт. Это биполярный транзистор с внутренним смещением базы (BRT).

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в поверхностном корпусе SOT23, также известном как TO236AB. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Во внутренней структуре транзистора присутствуют резисторы база-эмиттер и база-коллектор номиналом 1 кОм каждый.

Комплектация

В комплекте находится 150 транзисторов.