Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS5C638NLT1G, 60 В, 133 А, DFN5 (набор 10 шт.)

N-MOSFET транзистор ONSEMI NVMFS5C638NLT1G в корпусе DFN5. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 133 А. В комплекте поставляется 10 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 133 А
• Максимальная мощность рассеивания: 50 Вт
• Корпус: DFN5 (поверхностный монтаж)
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный). Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный постоянный ток стока равен 133 А, при этом импульсный ток может достигать 811 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 3 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 50 Вт. Прибор выполнен в поверхностном корпусе DFN5. Заряд затвора составляет 40,7 нКл.

Полярность и тип канала

Транзистор является униполярным (polaryzacja: unipolarny) с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный). Эти характеристики определяют принцип работы устройства и его поведение в электрических цепях.