Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVGS5120PT1G, -60В, -2,9А, TSOP6 (20 шт.)
2 400 ₴
- В наличии
- Код: TM205099
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVGS5120PT1G, -60В, -2,9А, TSOP6 (20 шт.)В наличии
2 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVGS5120PT1G в корпусе TSOP6. Это полевой транзистор с максимальным током -2,9 А и напряжением -60 В.
- Тип транзистора: P-MOSFET (полевой)
- Максимальный ток: -2,9 А
- Максимальное напряжение: -60 В
- Мощность рассеивания: 1,1 Вт
- Корпус: TSOP6 (поверхностный монтаж)
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 1,1 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 111 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный импульсный ток (Idm) — -20 А. Заряд затвора составляет 18,1 нКл.
Конструкция и монтаж
Тип монтажа — поверхностный. Корпус — TSOP6. Полярность — униполярная, канал обогащаемый.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 111 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TSOP6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 400 ₴