Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTTFS4C08NTAG, 30 В, 52 А, WDFN8 (60 шт.)
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM205082
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTTFS4C08NTAG, 30 В, 52 А, WDFN8 (60 шт.)В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET производства ONSEMI, модель NTTFS4C08NTAG. Предназначен для поверхностного монтажа в корпусе WDFN8. В комплекте 60 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 52 А
- Максимальная мощность рассеивания: 25.5 Вт
- Корпус: WDFN8
- Количество в комплекте: 60 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 52 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 5.9 мОм.
Мощность и корпус
Максимальная мощность рассеивания — 25.5 Вт. Транзистор имеет полевой тип и униполярную поляризацию. Корпус: WDFN8. Тип монтажа: поверхностный. Поляризация: униполярная. Тип канала: обогащенный (wzbogacany). Заряд затвора: 18.2 нКл. Импульсный ток стока: 144 А.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 25.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 52 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5.9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | WDFN8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴