Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTS4173PT1G, набор 80 шт., SOT323

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTS4173PT1G — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа. Модель имеет максимальное напряжение затвор-исток 12 В и рассеиваемую мощность 0,29 Вт.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Корпус: SC70, SOT323 (поверхностный монтаж)
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 150 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 0,29 Вт
• Количество в комплекте: 80 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением затвор-исток до 12 В и выдерживает импульсный ток стока до -5 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 150 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0,29 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SC70 (SOT323). Тип монтажа — поверхностный (SMD). Поляризация транзистора — униполярная, канал типа «обогащаемый».

Комплектация и дополнительные параметры

В наборе поставляется 80 единиц транзисторов.