
Транзистор NTS2101PT1G ONSEMI P-MOSFET, корпус SOT323, комплект 50 шт.
2 300 ₴
- В наличии
- Код: TM205080
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор NTS2101PT1G от бренда ONSEMI — это полевой транзистор типа P-MOSFET в корпусе для поверхностного монтажа SC70/SOT323. Прибор имеет максимальное напряжение затвор-исток 8 В. В комплект входит 50 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET, полевой
- Корпус: SC70 / SOT323
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 100 мОм
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа P и режимом обогащения (enhancement mode). Максимально допустимое напряжение между затвором и истоком составляет 8 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 100 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC70, также известном как SOT323. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Максимальная мощность рассеивания составляет 0,29 Вт.
Комплектация
В набор входит 50 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.29 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Информация для заказа
- Цена: 2 300 ₴
