
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR5103NT1G, 60В, 0,31А, SOT23 (набор 100 шт.)
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM205079
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR5103NT1G — это полевой транзистор с каналом типа n в корпусе SOT23. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 0,31 А.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
- Максимально допустимый ток стока: 0,31 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,42 Вт
- Корпус: SOT23, поверхностный монтаж
- Количество в комплекте: 100 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимальный ток стока равен 0,31 А. Мощность рассеивания ограничена значением 0,42 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 3000 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в поверхностном монтаже (SMD) в корпусе SOT23. Тип монтажа — поверхностный. Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная.
Электрические параметры затвора и канала
Заряд затвора составляет 0,81 нКл. Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная. В наборе поставляется 100 штук транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.42 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.31 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 100 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴
