Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI NTHD3100CT1G, комплементарная пара, 20/-20 В, ChipFET (набор 20 шт.)
2 730 ₴
- В наличии
- Код: TM205076
Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI NTHD3100CT1G, комплементарная пара, 20/-20 В, ChipFET (набор 20 шт.)В наличии
2 730 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевые транзисторы N/P-MOSFET ONSEMI NTHD3100CT1G — комплементарная пара в корпусе ChipFET для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение сток-исток — 20/-20 В, ток стока — 3,9/-4,4 А. В наборе 20 шт.
- Тип: N/P-MOSFET, комплементарная пара
- Напряжение сток-исток: 20/-20 В
- Ток стока: 3,9/-4,4 А
- Рассеиваемая мощность: 3,1 Вт
- Корпус: ChipFET (SMD)
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Импульсный ток стока — 12 А. Рассеиваемая мощность — 3,1 Вт. Сопротивление в открытом состоянии — 115/110 мОм. Напряжение затвор-исток — ±12/±8 В. Заряд затвора — 7,4 нКл. Полярность — униполярный, тип канала — обогащенный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.1 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | ChipFET |
Информация для заказа
- Цена: 2 730 ₴