Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G, -20 В, -0,76 А, 313 мВт, SC89, SMD (набор 150 шт.)
2 390 ₴
- В наличии
- Код: TM205068
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G, -20 В, -0,76 А, 313 мВт, SC89, SMD (набор 150 шт.)В наличии
2 390 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET ONSEMI NTE4151PT1G для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SC89. Напряжение сток-исток — -20 В, ток стока — -0,76 А, рассеиваемая мощность — 313 мВт. В наборе 150 шт.
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -0,76 А
- Рассеиваемая мощность: 313 мВт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1 Ом
- Корпус: SC89 (SMD)
- Количество в наборе: 150 шт.
Электрические параметры
Напряжение затвор-исток — ±6 В. Сопротивление в открытом состоянии — 1 Ом. Заряд затвора — 2,1 нКл. Полярность — униполярный, тип канала — обогащенный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.313 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 6 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SC89 |
Информация для заказа
- Цена: 2 390 ₴