Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор полевой N-MOSFET SiC NEXPERIA NSF040120L3A0Q, 1,2 кВ, 46 А, 313 Вт, TO247-3

1 940 ₴

  • В наличии
  • Код: TM204985
Транзистор полевой N-MOSFET SiC NEXPERIA NSF040120L3A0Q, 1,2 кВ, 46 А, 313 Вт, TO247-3
Транзистор полевой N-MOSFET SiC NEXPERIA NSF040120L3A0Q, 1,2 кВ, 46 А, 313 Вт, TO247-3В наличии
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Полевой транзистор N-MOSFET NEXPERIA NSF040120L3A0Q, изготовленный по технологии SiC (карбид кремния). Напряжение сток-исток — 1,2 кВ, ток стока — 46 А, рассеиваемая мощность — 313 Вт.

  • Напряжение сток-исток: 1,2 кВ
  • Ток стока: 46 А
  • Импульсный ток стока: 160 А
  • Рассеиваемая мощность: 313 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии: 60 мОм
  • Корпус: TO247-3 (THT)

Электрические параметры

Импульсный ток стока (Idm) — 160 А. Сопротивление в открытом состоянии — 60 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 22 В. Заряд затвора — 95 нКл. Полярность — униполярный, тип канала — обогащенный.

Корпус и монтаж

Корпус — TO247-3, монтаж — THT (в сквозные отверстия платы).

Характеристики
Основные
Максимальная мощность рассеивания313 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток22 В
Максимально допустимый ток стока46 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)60 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Гарантийный срок12 мес
КорпусTO247-3
ПроизводительNEXPERIA
ТехнологияSiC
Информация для заказа
  • Цена: 1 940 ₴